一、代謝物概貌
1、物質基本特征:
- 讀取電壓值經營規模:2.7V-24V
- 放入電壓電流數量:4.5V-24V
- 集變成了兩人18mΩ FET
- 可編序旋鈕谷值電壓:15A
- 調節器理開關按鈕周期:高至2.2MHz
- 可供求平衡電動機扭矩斷掉功效與作用的柵極推動器
- 自覺封控不導通無球好處
- 封裝形式:QFN3.5x4.5-20L
2、利用率理由圖:
3、物質描定
PL32001有的是款24V同部升壓裝換器,內裝在電機負載斷掉的柵極帶動器。它集成兩低導通阻值值器的輸出功率場不確定性晶胞管(FET):個導通阻值值器為18mΩ的旋轉開關FET和個導通阻值值器為18mΩ的整流FET。 PL32001敞開心扉自趨利避害勻速運動關斷之前最高值交流電方法規范。它享有一系列能助進步英語輕載效率的異常特殊性。當搜索交流電較低時,PL32001將到不定期導通方法(DCM)。PL32001的可制定紫裝陳設特殊性是指可程序代碼編程逐周期長交流電規定、可程序代碼編程打開頻度效果和方法分辨效果。 PL32001在關斷時能否如果你將發送端與發送端絕交。假如發送端有擊穿,它會加入打嗝形勢這降熱應力比,但是在擊穿氛圍消弭后可拒絕規復。與此同時,它還兼有過壓擋拆(OVP)和熱擋拆營養價值,避免止展現出出毛病啟動。
4、臭街采用處景
- 藍牙音箱
- Thunderbolt電源接口
- 攜便式使用點刷POS機刷信用卡機(POS)刷卡設備
- 電子器件煙
5、封口信息內容
6、管腳界說和好處描定
管腳保健作用描定
序號 | 稱號 | 描寫 |
---|---|---|
1 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
2 | EN | 使能引腳。將其拉高以使集成電路開啟,不要讓該引腳處于懸空狀況 |
3 | FREQ | 開關頻次由該引腳與SW引腳之間的一個電阻停止設定。在現實利用中,該引腳不能懸空 |
4 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
5 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
6 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
7 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
8 | BST | 自舉引腳。在開關引腳(SW)和自舉引腳(BST)之間毗連一個0.1μF或容量更大的電容器,以便為高側柵極驅動器供電 |
9 | VIN | 輸入電源引腳。利用一個大容量電容將VIN引腳旁路至地(GND),并且最少還要利用一個0.1微法(μF)的陶瓷電容,以消弭輸入到集成電路(IC)的噪聲。將這些電容安排在接近VIN引腳和GND引腳的地位 |
10 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
11 | AGND | 摹擬地 |
12 | DISDRV | 這是外部斷開場效應晶體管(FET)的柵極驅動輸入引腳。將DISDRV引腳毗連到外部場效應晶體管的柵極。若是不利用負載斷開功效,則使該引腳懸空 |
13 | MODE | 這是操縱形式挑選引腳。有一個2兆歐的外部電阻將此引腳毗連到參考電壓(VREF)。當該引腳為邏輯高電日常平凡,啟用持續導通形式(CCM);為邏輯低電日常平凡,啟用不持續導通形式(DCM);若引腳懸空,則啟用超同步調制形式(USM) |
14 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
15 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
16 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
17 | FB | 反應輸入引腳。FB引腳用于檢測輸入電壓,經由過程一個毗連在輸入端和地之間的電阻分壓器與FB引腳相連。FB是一個敏感節點,應使FB引腳闊別開關引腳(SW)和自舉引腳(BST) |
18 | COMP | 這是外部偏差縮小器的輸入引腳。環路彌補收集需毗連至COMP引腳和摹擬地(AGND)引腳。COMP是一個敏感節點,要讓它闊別SW引腳和BST引腳 |
19 | ILIM | 可調理的高壓側場效應晶體管(LSFET)峰值電流限定。需毗連一個電阻到摹擬地(AGND) |
0 | PGND | 功率接地。高壓側場效應晶體管(LSFET)的源極外部毗連到功率地(PGND) |
二、手工藝word文件
范例 | 標題 | 上傳時候 | 文檔下載 |
生成物規格型號書(用英文怎么說) | PL32001_Datasheet_V1.0 | 2025/05/06 | PDF下載 |
三、利用規劃
序號 | 標題 |
1 |
智能窗簾利用計劃
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1 |
無線充利用計劃
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